Si標(biāo)準(zhǔn)品(SRM640)系列概述

 SRM 640 是由美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院（NIST）開發(fā)的多晶硅粉末標(biāo)準(zhǔn)品，用于X射線粉末衍射儀（XRD）的校準(zhǔn)，主要針對**衍射線位置（2θ角）和線形（峰寬）**的標(biāo)準(zhǔn)化。迭代版本：SRM 640c → SRM 640f → SRM 640g（最新批次）。 

 核心認(rèn)證值：22.5°C下的晶格參數(shù) 0.5431144 nm ± 0.000008 nm（溯源于國際單位制SI）。 

 2. Si標(biāo)準(zhǔn)品(SRM640)制備方法與材料特性 

（1）原料與加工工藝原料來源：超高純度本征硅晶錠（源自德國Siltronic AG）。 

 關(guān)鍵步驟：粉碎與研磨：采用噴射研磨技術(shù)，中值粒徑 4.1 μm。 

 退火處理：1000°C氬氣環(huán)境下退火2小時，消除晶格應(yīng)力。 

 封裝：氬氣環(huán)境下裝瓶（7.5g/瓶），防止吸潮13。 

 （2）均勻性與認(rèn)證方法均勻性驗證：通過X射線衍射（XRD）分析，相對晶格變化≤±4.8×10??（95%置信區(qū)間）。

 認(rèn)證技術(shù)：使用基本參數(shù)法（FPA）和Pawley精修分析衍射數(shù)據(jù)7。結(jié)合A類（統(tǒng)計）和B類（系統(tǒng)）不確定度評估。 

 3. 主要應(yīng)用領(lǐng)域

儀器校準(zhǔn)：Si標(biāo)準(zhǔn)品(SRM640)校準(zhǔn)XRD設(shè)備的2θ角位置和衍射峰半高寬（FWHM）。適用于Bragg-Brentano幾何衍射儀。

 科研與工業(yè)：材料科學(xué)（如硅基半導(dǎo)體、納米材料表征）?；?、能源領(lǐng)域的晶體結(jié)構(gòu)分析

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